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Alliance Memory宣布新型LPDDR4器件扩展其高速CMOS移动低功耗SDRAM

Alliance Memory今天宣布,已利用具有片上ECC的新型LPDDR4器件扩展了其高速CMOS移动低功耗SDRAM产品的供应。为了提高性能并具有比上一代LPDDR3 SDRAM更高的电源效率,2Gb AS4C128M16MD4-062BAN,4Gb AS4C256M16MD4-062BAN和AS4C128M32MD4-062BAN和8Gb AS4C256M32MD4-062BAN在200球FBGA封装中提供了更低的功耗和更快的速度。

 

凭借1.1V / 1.8V的低压工作电压,今天发布的设备可延长面向消费类和工业市场的便携式电子产品的电池寿命,包括平板电脑,可穿戴设备,手持游戏机,个人导航系统等。 LPDDR4 SDRAM为嵌入式应用中的高级音频和高分辨率视频提供更高的效率,可提供1.6GHz的快速时钟速度和3.2Gbps的极高传输速率。对于汽车应用(包括信息娱乐系统和ADAS系统),符合AEC-Q100要求的设备可在-40°C至+ 105°C的温度范围内工作。

 

LPDDR4 SDRAM每个设备分为1个通道(AS4C128M16MD4-062BAN和AS4C256M16MD4-062BAN)和2个通道(AS4C128M32MD4-062BAN和AS4C256M32MD4-062BAN),每个通道由8个16位的存储区组成。这些组件提供完全同步的操作;可编程的读写突发长度为16、32,并且可以实时运行;以及可选的输出驱动强度。片上温度传感器控制自刷新速率。

 

Alliance Memory的LPDDR4 SDRAM通过最小的管芯收缩,为高带宽,高性能存储系统应用中的众多类似解决方案提供了可靠的,引脚对引脚兼容的可靠替代品,从而无需进行昂贵的重新设计和零件重新鉴定。

 

设备规格表:

 

AS4C128M16MD4-062BAN 2Gb带ECC 128Mb x 16 1.6GHz 200球FBGA(10mm x 14.5mm x 0.8mm)

 

AS4C256M16MD4-062BAN 4Gb带ECC 256Mb x 16 1.6GHz 200球FBGA(10mm x 14.5mm x 0.8mm)

 

AS4C128M32MD4-062BAN 4Gb带ECC 128Mb x 32 1.6GHz 200球FBGA(10mm x 14.5mm x 0.8mm)

 

AS4C256M32MD4-062BAN 8Gb带ECC 256Mb x 32 1.6GHz 200球FBGA(10mm x 14.5mm x 1.1mm)

 

新型LPDDR4 SDRAM的样品和量产批量现已开始提供,供货周期为8周。 2Gb设备在美国的起价为每片6.00美元; 4Gb设备每片12美元; 8Gb设备每片16美元。

 

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