为了满足汽车，工业，通信和消费电子市场对串行外围接口（SPI）NAND闪存产品不断增长的需求，Alliance Memory今天宣布推出新型AS5F系列1.8V至3V器件，密度从1Gb到8Gb，以及高达120MHz的高速时钟频率。

 

“嵌入式系统传统上依赖于SPI NOR闪存来引导代码，而并行NAND闪存用于数据存储，但是有几个市场正在迁移到可以同时实现这两个功能的SPI NAND闪存产品，”该公司总裁兼首席执行官David Bagby说道。联盟记忆。 “这不仅降低了BOM成本，而且这些器件以更小的尺寸提供了卓越的性能-更高的可靠性，更快的启动以及更高的写入和擦除速度。借助AS5F系列，我们在为客户过渡到SPI NAND闪存提供了绝佳的定位。”

 

通过增强的性能，今天发布的设备可以满足多媒体数据存储应用和人工智能（AI）实施的要求。它们是用于Wi-Fi路由器，移动设备，xDSL / xPON技术，数据卡，IP摄像机，机顶盒，数字电视，智能家居设备等的芯片组的理想选择。

 

AS5F系列SPI NAND闪存产品提供可靠的长期性能，具有60,000多个编程/擦除周期，并提供10年的数据保留。这些解决方案在-40°C至+ 85°C的工业温度范围内工作，并提供25mA读/编程电流和30mA擦除电流。该器件支持标准，双通道和四通道SPI操作，并采用无铅（Pb）和无卤素LGA 8引脚封装。

 

设备规格表：

 

AS5F31G04SND-08LIN 1Gb 3V 120MHz

 

AS5F12G04SND-10LIN 2Gb 1.8V 100MHz

 

AS5F32G04SND-08LIN 2Gb 3V 120MHz

 

AS5F14G04SND-10LIN 4Gb 1.8V 100MHz

 

AS5F34G04SND-08LIN 4Gb 3V 120MHz

 

AS5F18G04SND-10LIN 8Gb 1.8V 100MHz

 

AS5F38G04SND-08LIN 8Gb 3V 120MHz

 

1.8V和3V SPI NAND闪存产品现已提供样品，并已量产，供货周期为8周。美国交货的价格取决于密度和订购数量，起价为1Gb部件每片约2美元。

 

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